Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 33А; Idm: 130А; 85Вт

Немає в наявності
Код товару: NVBG060N065SC1
703,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVBG060N065SC1
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 74нКл
Корпус: D2PAK-7
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -5...18В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 50мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 85Вт
Струм стока: 33А
Струм стоку в імпульсі: 130А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Індикатор: LED; увігнутий; червоний; 230ВAC; Ø5мм; IP20; проводи
Індикатор: LED; увігнутий; червоний; 230ВAC; Ø5мм; IP20; проводи

143,18 грн

Виводи:
проводи
Вид індикатора:
увігнутий
Довжина відводів:
0,33м
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 70; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 70; SMT; 3A; 250V

732,39 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Лабораторний роз’єм: банан 2мм; гніздо; синій; ізольований
Лабораторний роз’єм: банан 2мм; гніздо; синій; ізольований

93,77 грн

Колір:
синій
Модель роз’єму:
ізольований
Монтаж:
1,9mm soldering hole
Покриття контакту:
нікельований
Резистор: thick film; 68кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 68кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 0201

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Суперконденсатор; THT; 100мФ; 5,5ВDC; -20÷80%; Ø11x5,5мм; 100Ом
Суперконденсатор; THT; 100мФ; 5,5ВDC; -20÷80%; Ø11x5,5мм; 100Ом

98,83 грн

Висота:
5,5мм
Діаметр:
11мм
Допуск:
-20...80%
Ємність:
0,1Ф
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 100мкФ; 16ВDC; Ø8x10,2мм; 2000г
Конденсатор: електролітичний; SMD; 100мкФ; 16ВDC; Ø8x10,2мм; 2000г

61,45 грн

Висота:
10,2мм
Діаметр:
8мм
Ємність:
100мкФ
Імпеданс:
0,5Ом
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь

38,01 грн

Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
17нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,8нКл
Корпус:
QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт

74,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
10,4нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK

184,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD