Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 11А; Idm: 38А; 127Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 11А; Idm: 38А; 127Вт
Brand: LUGUANG ELECTRONIC
SKU: LGE3M160120E
Price: 503.04 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: LGE3M160120E

503,04 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

LGE3M160120E

Виробник:

LUGUANG ELECTRONIC

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

42нКл

Корпус:

D2PAK

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

-5...20В

Напруга сток-джерело:

1,2кВ

Опір в стані провідності:

0,285Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

127Вт

Струм стока:

11А

Струм стоку в імпульсі:

38А

Технологія:

SiC

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 500мВт; SOT23

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
0,9нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів

Корпус:
PowerDI®3333-8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 45А; Idm: 180А; 63Вт; TO252AA

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
39нКл

Корпус:
TO252AA

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT223

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
TO263

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO263; 300нс

430,18 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
47нКл

Корпус:
TO263