Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 14А; Idm: 48А; 134Вт

Немає в наявності
Код товару: LGE3M160120B
537,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: LGE3M160120B
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 43нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -5...20В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 0,285Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 134Вт
Струм стока: 14А
Струм стоку в імпульсі: 48А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Ланцюгова напрямна; Protection; Рад.заг: 100мм; L: 1000мм
Ланцюгова напрямна; Protection; Рад.заг: 100мм; L: 1000мм

3806,39 грн

Внутрішня висота:
35мм
Внутрішня ширина:
97мм
Довжина:
1м
Зовнішня висота:
49мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 220нФ; 25В; X8L; ±10%; THT; 5мм
Конденсатор: керамічний; 220нФ; 25В; X8L; ±10%; THT; 5мм

4,31 грн

Діелектрик:
X8L
Допуск:
±10%
Ємність:
0,22мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 1,15Ом; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В
Резистор: thick film; 1,15Ом; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В

43,08 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4527
Корпус - мм:
1267
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 21,6÷26,4ВDC; Uвих: 15ВDC; SIP4
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 21,6÷26,4ВDC; Uвих: 15ВDC; SIP4

213,51 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
0,13А
Вхідна напруга:
21,6...26,4В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; протиперевантажувальні OPP
Недоступний
Резистор: thick film; 1,8кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; CRG
Резистор: thick film; 1,8кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; CRG

0,29 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: цифровий; тригер D; Ch: 8; CMOS; HC; SMD; TSSOP20; ролик,cтрічка
IC: цифровий; тригер D; Ch: 8; CMOS; HC; SMD; TSSOP20; ролик,cтрічка

11,09 грн

Вид об'єднаної схеми:
тригер D
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
8
Корпус:
TSSOP20
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 10,5А; Idm: 40А

95,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; TO220AB

140,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 500В; 7А; Idm: 40А; 85Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 500В; 7А; Idm: 40А; 85Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

214,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

157,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 20А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 20А; Idm: 100А

241,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO262
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 25А; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 25А; TO247-3

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT