Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 16А; Idm: 39А; 123Вт

Немає в наявності
Код товару: B2M160120H
85,53 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: B2M160120H
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 26нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -4...18В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 0,16Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 123Вт
Струм стока: 16А
Струм стоку в імпульсі: 39А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; 5кВ; SMD8; Колір: чорний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; 5кВ; SMD8; Колір: чорний

25,34 грн

Вид виходу:
Darlington
Кількість каналів:
1
Колір корпусу:
чорний
Корпус:
SMD8
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0201

8,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thin film; 30,1Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 30,1Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 33мкФ; 100ВDC; Ø10x13мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 33мкФ; 100ВDC; Ø10x13мм; ±20%

0,00 грн

Висота:
13мм
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Ємність:
33мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,4пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,4пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

6,59 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,4пФ
Резистор: thick film; 2Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,25 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 800В; 2А; thinSMA; Ufmax: 1,1В; ролик,cтрічка
Діод: випрямний; SMD; 800В; 2А; thinSMA; Ufmax: 1,1В; ролик,cтрічка

17,11 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
thinSMA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 6,6А; 190Вт; TO247; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 6,6А; 190Вт; TO247; ESD

321,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; польовий; 600В; 12А; 150Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; польовий; 600В; 12А; 150Вт

190,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; 417Вт; TO247

505,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 33А; 357Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 33А; 357Вт; TO220AB

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 61А; 568Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 61А; 568Вт; TO247-3

346,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 86Вт

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
90нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В