1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 63А; 168Вт

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 63А; 168Вт
Немає в наявності
Код товару: MSC080SMB120Q
389,64 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MSC080SMB120Q
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 34нКл
Корпус: QDPAK22
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 80мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 168Вт
Сімейство: SMB
Струм стока: 21А
Струм стоку в імпульсі: 63А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Тиристор: стандартний; 600В; Ifмакс: 6А; 3,84А; Igt: 200мкА; DPAK
Тиристор: стандартний; 600В; Ifмакс: 6А; 3,84А; Igt: 200мкА; DPAK

50,68 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: зенера; 1Вт; 100В; SMD; DO213AB,MELF glass; 10мкА
Діод: зенера; 1Вт; 100В; SMD; DO213AB,MELF glass; 10мкА

1947,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±1%
Зенерівська напруга:
100В
Корпус:
DO213AB; MELF glass
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 58; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 58; THT; 1.5A

429,55 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
11,7мм
Недоступний
Резистор: thin film; 12кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 12кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%

0,90 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 16,5Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D
Резистор: thick film; 16,5Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D

2,98 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; AS; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; AS; 500В; -55÷155°C

4,62 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
1кВ
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HP; 200В
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HP; 200В

1,29 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 3,8А; Idm: 24А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 3,8А; Idm: 24А; 2,5Вт; SO8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 13А; 2Вт; SOP8; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 13А; 2Вт; SOP8; автомобільна галузь

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 220мА; 360мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 220мА; 360мВт; SOT23

24,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,7нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; 70В; 10А; 175Вт
Транзистор: N-MOSFET; 70В; 10А; 175Вт

15188,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
70В
Потужність розсіювання:
175Вт
Транзистор: N-JFET; польовий; 30В; 5мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 30В; 5мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

22,17 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 10А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 10А; 90Вт; DPAK

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 4,1А; Idm: 10А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 4,1А; Idm: 10А

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SC74; TSOP6