Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: B1M080120HK
888,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: B1M080120HK
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 149нКл
Корпус: TO247-4
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -5...20В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 80мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 241Вт
Струм стока: 27А
Струм стоку в імпульсі: 80А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Датчик: оптоволоконний; Дальність: 0÷3600мм; IP40; Дл: 2м; -40÷60°C
Датчик: оптоволоконний; Дальність: 0÷3600мм; IP40; Дл: 2м; -40÷60°C

24048,43 грн

Властивості датчиків:
дальність дії датчика залежить від застосованих аксесуарів
Дальність:
0...3600мм
Довжина проводу:
2м
Клас герметичності:
IP40
Резистор: thick film; 8,2кОм; 0805; 250мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 8,2кОм; 0805; 250мВт; ±1%; -55÷155°C

1,13 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 10В; X5R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 10В; X5R; ±10%; SMD; 0805

6,34 грн

Alias:
C0805C106K8PAC7800
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Провід; BiTLAN; U/FTP; Cat 6a; 4x2x23AWG; Cu; дріт; LSZH; 7,5мм
Провід; BiTLAN; U/FTP; Cat 6a; 4x2x23AWG; Cu; дріт; LSZH; 7,5мм

76,66 грн

Bластивості проводів:
жили скручені попарно; низьке виділення диму
Будова екрану:
екранований; пари екрановані фольгою AL-PET
Будова жили:
дріт
Вид жили:
Cu
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; 0201

0,22 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 14,4В; 27,9А; односпрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 14,4В; 27,9А; односпрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1

57,02 грн

Зворотна напруга макс.:
13В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AA; SMB
Монтаж:
SMD
Роз’єм: провід-провід; гніздо; штекерний,гніздовий; PIN: 9; прямий
Роз’єм: провід-провід; гніздо; штекерний,гніздовий; PIN: 9; прямий

122,28 грн

Вид роз’єму:
гніздовий; штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
9
Колір:
натуральний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 19А; Idm: 53А; 142Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 19А; Idm: 53А; 142Вт; TO220-3

254,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 133А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 133А; 200Вт; TO220AB

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; TO220AB

89,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44,7нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 231А; 465Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 231А; 465Вт

853,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
0,22мкКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 300Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 300Вт; TO247AC

337,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,19мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; 180Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; 180Вт; TO247AC

281,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2,9А; 40Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2,9А; 40Вт; TO220FP

168,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
67нКл
Корпус:
TO220FP