Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 27А; Idm: 85А; 200Вт

Немає в наявності
Код товару: LGE3M70120Q
808,41 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: LGE3M70120Q
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 69нКл
Корпус: TO247-4
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -5...20В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 0,122Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 200Вт
Струм стока: 27А
Струм стоку в імпульсі: 85А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
LED; 3мм; зелений; 20÷40мкд; 50°; Голівка: опукла; 2÷2,4ВDC
LED; 3мм; зелений; 20÷40мкд; 50°; Голівка: опукла; 2÷2,4ВDC

0,00 грн

Голівка:
опукла
Діаметр діода ДУВ:
3мм
Довжина хвилі λd:
568нм
Кількість виводів:
2
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 100Вт
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 100Вт

2399,90 грн

Вид блоку живлення:
для вбудовування; модульний
Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
16А
Властивості блоків живлення:
пасивне охолоджування
Ключ: комбінований; двосторонній; 21мм; L: 255мм
Ключ: комбінований; двосторонній; 21мм; L: 255мм

636,09 грн

Вид ключа:
двосторонній
Відповідність стандарту:
DIN 3113A; ISO 7738
Властивості ключів:
поверхня ключів хромована
Довжина:
255мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 261Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 261Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 6А; Полюси: 4
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 6А; Полюси: 4

5476,44 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
15кА
Властивості вимикачів:
оптичний індикатор спрацьовування
Діаметр з'єднуючих шин:
0,8...2мм
Кількість полюсів:
4
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 167мА
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 167мА

627,22 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
0,167А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; макс. струму OCP
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 9А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 9А; 54Вт

107,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
20нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 94Вт; TO220-3; 1,14÷1,4мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 94Вт; TO220-3; 1,14÷1,4мм

86,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 73А; Idm: 292А; TO220
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 73А; Idm: 292А; TO220

103,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO220
Напруга сток-джерело:
100В
Транзистор: N-MOSFET; Q3-Class; польовий; 800В; 62А; 1560Вт; 300нс
Транзистор: N-MOSFET; Q3-Class; польовий; 800В; 62А; 1560Вт; 300нс

1912,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,27мкКл
Корпус:
PLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 170мА; 1,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 170мА; 1,5Вт

2001,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
THT
Напруга сток-джерело:
60В
Потужність розсіювання:
1,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; 20,8Вт; TO220FP; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; 20,8Вт; TO220FP; ESD

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 45Вт; IPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 45Вт; IPAK; ESD

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
IPAK