Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 33А; Idm: 85А; 250Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: B2M065120H
594,27 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: B2M065120H
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 60нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -4...18В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 65мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 250Вт
Струм стока: 33А
Струм стоку в імпульсі: 85А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 12Ом; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: thin film; 12Ом; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм

8,62 грн

Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 165Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 165Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Варистор: оксидно-цинковий; THT; 60ВAC; 85ВDC; 100В; 2,5кА; Ø: 10мм
Варистор: оксидно-цинковий; THT; 60ВAC; 85ВDC; 100В; 2,5кА; Ø: 10мм

6,21 грн

Виводи:
прямі
Вид упаковки:
сумка
Висота:
10мм
Діаметр:
10мм
Недоступний
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 3; 0,3м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; ПВХ
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 3; 0,3м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; ПВХ

635,45 грн

Довжина кабелю:
0,3м
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
помаранчевий
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 16ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 16ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0603

11,40 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2мкФ
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 2,2мкФ; 25ВDC; SMD; B; 1210; ±10%; TPS
Конденсатор: танталовий; 2,2мкФ; 25ВDC; SMD; B; 1210; ±10%; TPS

15,33 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2мкФ
Корпус:
B
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,7пФ
Корпус - дюйм:
0201
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 6,3А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 6,3А; Idm: 40А

88,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16,5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 3,6А; Idm: 12А; 26Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 3,6А; Idm: 12А; 26Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
7,3нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 60А; Idm: 350А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 60А; Idm: 350А

1210,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
174нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 13А; Idm: 65А; 31Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 13А; Idm: 65А; 31Вт

107,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 11А; Idm: 44А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 11А; Idm: 44А

398,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
93нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 41Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 41Вт

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт

191,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
I2PAK; TO262