Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 42А; Idm: 122А; 320Вт

Немає в наявності
Код товару: MSC040SMB120Q
610,11 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MSC040SMB120Q
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 69нКл
Корпус: QDPAK22
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 40мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 320Вт
Сімейство: SMB
Струм стока: 42А
Струм стоку в імпульсі: 122А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 3,65кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR
Резистор: thin film; 3,65кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR

17,11 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO; 0÷15мм; 10÷30ВDC; M30; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO; 0÷15мм; 10÷30ВDC; M30; IP67

1843,64 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
0...15мм
Загальна довжина:
64мм
Кількість пін:
4
Недоступний
Резистор: thick film; 33кОм; SMD; 0508; 1Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 33кОм; SMD; 0508; 1Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C

0,26 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,15 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
20000шт.
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0402

0,72 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 845Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 845Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C

1,43 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Резистор: thick film; 33кОм; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 33кОм; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В; 100ppm/°C

0,81 грн

Діаметр роліка макс.:
178мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А
Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А

4406,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Напруга сток-джерело:
90В
Струм стока:
12А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8

11,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT23