Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 42А; Idm: 240А; 174Вт

Немає в наявності
Код товару: NTHL040N120SC1
1065,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NTHL040N120SC1
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 106нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -15...25В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 56мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 174Вт
Струм стока: 42А
Струм стоку в імпульсі: 240А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Конектор: плоский; IDC; прямий; неізольований; луджений; мідь
Конектор: плоский; IDC; прямий; неізольований; луджений; мідь

8,36 грн

Версія наконечника:
неізольований
Електричний монтаж:
IDC
Загальна довжина:
7,87мм
Матеріал контакту:
мідь
Недоступний
Резистор: thick film; 232кОм; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 232кОм; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,59 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
232кОм
Недоступний
Резистор: thin film; 38,3кОм; SMD; 0805; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 38,3кОм; SMD; 0805; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C

0,00 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 680кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±2%; 200В
Резистор: thick film; 680кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±2%; 200В

0,14 грн

Допуск:
±2%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 430пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 430пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 19; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 19; SMT; 3A; 250V

74,76 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thick film; 47Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; CRGS
Резистор: thick film; 47Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; CRGS

10,52 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 29,6А; Idm: 85А; 187,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 29,6А; Idm: 85А; 187,5Вт

681,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
62,3нКл
Транзистор: N-JFET; польовий; 40мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 40мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 10мА

32,31 грн

Вид упаковки:
cтрічка
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 56А; 48Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 56А; 48Вт; TO220FP

142,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
113,3нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 33А; 140Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 33А; 140Вт; TO220AB

81,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
47,3нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,9А; Idm: 25А; 125Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,9А; Idm: 25А; 125Вт; TO220AB

84,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
60нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 35А; 300Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 35А; 300Вт; TO247AC

151,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
234нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 89А; 130Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 89А; 130Вт; TO220AB

114,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
65,3нКл