Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 44А; Idm: 130А; 300Вт

Немає в наявності
Код товару: LGE3M35120Q
919,29 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: LGE3M35120Q
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 148нКл
Корпус: TO247-4
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -5...20В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 63мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 44А
Струм стоку в імпульсі: 130А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 60МГц; Ch: 1; DIP8; 126дБ; 0,02мВ; туба
IC: Oпераційний підсилювач; 60МГц; Ch: 1; DIP8; 126дБ; 0,02мВ; туба

252,79 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
низький рівень шуму
Вхідна напруга зміщення нуля:
20мкВ
Кількість каналів:
1
Недоступний
Резистор: thick film; 1,69кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 1,69кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В

1,06 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 33мкФ; 25ВDC; SMD; D; 2917; ±20%; -55÷125°C
Конденсатор: танталовий; 33мкФ; 25ВDC; SMD; D; 2917; ±20%; -55÷125°C

93,13 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Ємність:
33мкФ
Корпус:
D
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C

2,66 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 9,44÷10,4В; 27,8А; двоспрямована; DO214AC,SMA
Діод: TVS; 400Вт; 9,44÷10,4В; 27,8А; двоспрямована; DO214AC,SMA

2,85 грн

Зворотна напруга макс.:
8,5В
Корпус:
DO214AC; SMA
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
9,44...10,4В
Недоступний
Запобіжник: плавка; 10,3x38мм; 3А; 250ВAC; повільні
Запобіжник: плавка; 10,3x38мм; 3А; 250ВAC; повільні

922,45 грн

Вид запобіжника:
керамічний; промисловий; циліндровий
Номінальна напруга:
250В AC
Номінальний струм:
3А
Розмір запобіжника:
10,3x38мм
Резистор: thin film; 32,4кОм; прецизійний; SMD; 0402; 62,5мВт; AR
Резистор: thin film; 32,4кОм; прецизійний; SMD; 0402; 62,5мВт; AR

4,75 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20,2А; 34Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20,2А; 34Вт; TO220FP

187,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20,2А; 151Вт; PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20,2А; 151Вт; PG-TO220-3

138,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 77,5А; 481Вт; PG-TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 77,5А; 481Вт; PG-TO247-3

751,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 15,5Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 15,5Вт; TO220F

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8,5нКл
Корпус:
TO220F
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; TO262
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; TO262

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30,6нКл
Корпус:
TO262
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 8А; 150Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 8А; 150Вт; TO247

271,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 900В; 11,6А; 250Вт
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 900В; 11,6А; 250Вт

421,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD