1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 45А; Idm: 150А; 114Вт

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 45А; Idm: 150А; 114Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IMZ120R030M1HXKSA1
1192,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IMZ120R030M1HXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Корпус: TO247-4
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -7...23В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 57мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 114Вт
Струм стока: 45А
Струм стоку в імпульсі: 150А
Технологія: CoolSiC™; SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 25м; вилка; 230ВDC; 230ВAC; 4А; PUR
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 25м; вилка; 230ВDC; 230ВAC; 4А; PUR

2159,78 грн

Довжина кабелю:
25м
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO + NC; 0÷60мм; 12÷48ВDC; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO + NC; 0÷60мм; 12÷48ВDC; IP67

15985,19 грн

Дальність:
0...60мм
Зовнішні розміри:
80x80x40мм
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
NPN / NO + NC
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,3кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; -55÷155°C

1,36 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; 417Вт; TO247

505,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 33А; 357Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 33А; 357Вт; TO220AB

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 61А; 568Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 61А; 568Вт; TO247-3

346,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 86Вт

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
90нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; польовий; 650В; 10,7А; 30Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; польовий; 650В; 10,7А; 30Вт; ESD

250,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 24А; 74Вт; TO3PF
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 24А; 74Вт; TO3PF

282,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO3PF
Монтаж:
THT