1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 100А; 278Вт

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 100А; 278Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DIW120SIC059-AQ
969,97 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DIW120SIC059-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 121нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -4...18В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 65мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 278Вт
Струм стока: 46А
Струм стоку в імпульсі: 100А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Викрутка: стандартний; 6-гранний ковпачок; HEX 4мм; Gedore Red
Викрутка: стандартний; 6-гранний ковпачок; HEX 4мм; Gedore Red

458,69 грн

Властивості викруток:
двокомпонентний матеріал рукоятки; рукоятка з отвором для підвішування
Довжина леза:
90мм
Загальна довжина:
190мм
Матеріал покриття:
хром
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 35В; X5R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 35В; X5R; ±10%; SMD; 1210

8,87 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
10мкФ
Недоступний
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 50В; DIP6
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 50В; DIP6

38,65 грн

CTR@If:
20-300%@10mA
Вид виходу:
транзисторний
Вид упаковки:
туба
Відповідність стандарту:
VDE
Недоступний
Резистор: thick film; 8,66кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 8,66кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0201

0,14 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 910кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 910кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 3; М12 "мама" кутовий,M8 прямий "папа"
Кабель: до датчиків; PIN: 3; М12 "мама" кутовий,M8 прямий "папа"

824,25 грн

Довжина кабелю:
5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 6,6А; 190Вт; TO247; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 6,6А; 190Вт; TO247; ESD

321,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; польовий; 600В; 12А; 150Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; польовий; 600В; 12А; 150Вт

190,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; 417Вт; TO247

505,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 33А; 357Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 33А; 357Вт; TO220AB

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 61А; 568Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 61А; 568Вт; TO247-3

346,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 86Вт

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
90нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В