Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 48А; Idm: 120А; 300Вт

Немає в наявності
Код товару: AOM033V120X2
410,54 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 240
Крок додавання: 240
Код товару: AOM033V120X2
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 104нКл
Корпус: TO247-4
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -5...15В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 45мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 48А
Струм стоку в імпульсі: 120А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

0,22 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
47пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 1,67кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73R; 75В
Резистор: thin film; 1,67кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73R; 75В

0,86 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Роз’єм: M16; гніздо; PIN: 8; гніздовий; промислова; C091D; 100В; 5А
Роз’єм: M16; гніздо; PIN: 8; гніздовий; промислова; C091D; 100В; 5А

631,65 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
8
Перетворювач: DC/DC; 1,65Вт; Uвх: 4,75÷32ВDC; Uвих: 3,3ВDC; SIP3
Перетворювач: DC/DC; 1,65Вт; Uвх: 4,75÷32ВDC; Uвих: 3,3ВDC; SIP3

369,36 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
0,5А
Вхідна напруга:
4,75...32В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Мікроперемикач SNAP ACTION; 0,1A/125ВAC; 0,1A/30ВDC; з важелем
Мікроперемикач SNAP ACTION; 0,1A/125ВAC; 0,1A/30ВDC; з важелем

119,11 грн

Виводи:
для друку; прямі
Властивості перемикачів:
з важелем
Довжина важеля:
13мм
Електрична стійкість:
100000 цикли
Недоступний
Резистор: thick film; 309Ом; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 309Ом; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
309Ом
Недоступний
Резистор: thin film; 715Ом; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В
Резистор: thin film; 715Ом; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В

1,87 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 100А; Idm: 300А; 550Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 100А; Idm: 300А; 550Вт

1215,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
236нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт

662,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
287нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC

217,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
IPAK; TO251
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт

1384,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
162нКл
Корпус:
TO247-4
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
-35В