1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 55А; Idm: 161А; 416Вт

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 55А; Idm: 161А; 416Вт
Немає в наявності
Код товару: MSC030SMB120Q
751,39 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MSC030SMB120Q
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 91нКл
Корпус: QDPAK22
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 30мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 416Вт
Сімейство: SMB
Струм стока: 55А
Струм стоку в імпульсі: 161А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 300Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±5%; AS; 150В
Резистор: thick film; 300Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±5%; AS; 150В

0,84 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thick film; 82кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; CQ; 150В
Резистор: thick film; 82кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; CQ; 150В

0,11 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Резистор: thick film; 2,1кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 2,1кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В

0,98 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Connector: pin strips; data; PIN: 2; THT; 3A; vertical; 2.54mm
Connector: pin strips; data; PIN: 2; THT; 3A; vertical; 2.54mm

16,41 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
2
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0201

2,50 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
8,2пФ
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC

371,90 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
0,1А
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Недоступний
Резистор: thin film; 68,1Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 68,1Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%

34,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 500мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 500мВт; SOT23

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,9нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
PowerDI®3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 45А; Idm: 180А; 63Вт; TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 45А; Idm: 180А; 63Вт; TO252AA

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO263; 300нс
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO263; 300нс

430,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
47нКл
Корпус:
TO263