Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 60А; Idm: 200А; 370Вт

Немає в наявності
Код товару: LGE3M25120Q
999,11 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: LGE3M25120Q
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 54нКл
Корпус: TO247-4
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -5...20В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 43мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 370Вт
Струм стока: 60А
Струм стоку в імпульсі: 200А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 134мА
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 134мА

3087,31 грн

Використання:
медичні програми
Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
134мА
Вхідна напруга:
18...36В DC
Світловий бар'єр безпеки; H: 760мм; 12м; IP65,IP67; EOS4 X; 24ВDC
Світловий бар'єр безпеки; H: 760мм; 12м; IP65,IP67; EOS4 X; 24ВDC

53096,87 грн

Висота:
760мм
Властивості датчиків:
захист руки
Дальність:
12м
Клас герметичності:
IP65; IP67
Недоступний
Скребок; Використання: для видалення пазів; 50мм
Скребок; Використання: для видалення пазів; 50мм

95,67 грн

Використання інструментів:
для видалення пазів
Довжина кінцівки:
50мм
Тип інструмента:
скребок
Недоступний
Резистор: thick film; 18Ом; SMD; 0603; 0,2Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 18Ом; SMD; 0603; 0,2Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C

0,22 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 787Ом; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; ERJPC3B
Резистор: thick film; 787Ом; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; ERJPC3B

1,51 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C

2,44 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 100В; X8G; ±1%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 100В; X8G; ±1%; SMD; 0603

1,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±1%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6,2А; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6,2А; TO220F

64,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
27,7нКл
Корпус:
TO220F
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 150В; 62А; 350Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 150В; 62А; 350Вт; TO220AB

326,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 1500В; 4А; 250Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 1500В; 4А; 250Вт; TO247

450,46 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 21А; 250Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 21А; 250Вт

385,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; PolarHV™; польовий; 600В; 26А; 460Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; PolarHV™; польовий; 600В; 26А; 460Вт; TO247-3

612,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 24А; 150Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 24А; 150Вт; TO220AB

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 18А; 81Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 18А; 81Вт

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
50нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±30В