Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 60А; Idm: 240А; 271,7Вт

Немає в наявності
Код товару: BXW60M1K2J
741,89 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BXW60M1K2J
Виробник: BRIDGELUX
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 170нКл
Корпус: TO247-4
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -3...18В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 80мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 271,7Вт
Струм стока: 60А
Струм стоку в імпульсі: 240А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 430Ом; SMD; 1206; 1Вт; ±1%; SG73P; 200В
Резистор: thick film; 430Ом; SMD; 1206; 1Вт; ±1%; SG73P; 200В

0,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 3,3ВDC; SMT12
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 3,3ВDC; SMT12

445,39 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
303мА
Вхідна напруга:
10,8...13,2В DC
Зовнішні розміри:
15,24x8x7,3мм
Недоступний
Резистор: metal film; 11кОм; THT; 1Вт; ±5%; Ø2,6x6,8мм; осьові
Резистор: metal film; 11кОм; THT; 1Вт; ±5%; Ø2,6x6,8мм; осьові

2,48 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,6мм
Довжина:
6,8мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Кристал; 37,4МГц; SMD; 3,2x2,5x0,7мм; 8пФ; Стаб.част: ±30ppm
Кристал; 37,4МГц; SMD; 3,2x2,5x0,7мм; 8пФ; Стаб.част: ±30ppm

17,68 грн

Допуск резонаторів:
±30ppm
Ємність:
8пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Недоступний
Резистор: thick film; 390Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 390Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C

0,26 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 820Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 820Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,05 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
10000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 39,2Ом; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 39,2Ом; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,35 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
39,2Ом
Транзистор: N-MOSFET; 700В; 6А; Idm: 12,8А; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 700В; 6А; Idm: 12,8А; TO220FP

43,97 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,8нКл
Корпус:
TO220FP
Напруга сток-джерело:
700В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 60В; 42А; 110Вт
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 60В; 42А; 110Вт

112,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 900В; 36А; Idm: 96А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; 900В; 36А; Idm: 96А; 417Вт; TO247

1141,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,27мкКл
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 500В; 3А; 45Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 500В; 3А; 45Вт; TO220-3

124,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 18А; 72Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 18А; 72Вт

87,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
42нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30,8А; 230Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30,8А; 230Вт; TO220AB

232,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 69Вт
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 69Вт

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
73нКл
Монтаж:
THT
Напруга сток-джерело:
100В