Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 71А; 428Вт; TO247-4

Немає в наявності
Код товару: LGE3M20120Q
1079,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: LGE3M20120Q
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 254нКл
Корпус: TO247-4
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -5...20В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 39мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 428Вт
Струм стока: 71А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 1500мкФ; 6,3ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 1500мкФ; 6,3ВDC; ±20%

46,25 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
20мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
8мм
Недоступний
Резистор: thin film; 221Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; TC; 75В
Резистор: thin film; 221Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; TC; 75В

0,67 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: танталово-полімерний; 680мкФ; 6,3ВDC; 3000мА; SMD
Конденсатор: танталово-полімерний; 680мкФ; 6,3ВDC; 3000мА; SMD

107,07 грн

Допуск:
±20%
Ємність:
680мкФ
Імпеданс:
25мОм
Монтаж:
SMD
Резистор: thin film; 430кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 430кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thick film; 62кОм; 0805; 125мВт; ±5%; ERJ6GEY; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 62кОм; 0805; 125мВт; ±5%; ERJ6GEY; 200ppm/°C

0,37 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 12В; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 40÷400мА
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 12В; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 40÷400мА

126,71 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
40...400мА
Вхідна напруга:
12В
Захист:
від короткого замикання SCP
Connector: wire-board; male; data; Inom: 3A; 250V; PIN: 30; shrouded
Connector: wire-board; male; data; Inom: 3A; 250V; PIN: 30; shrouded

89,96 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
30
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; TO220AB

116,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
160нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 72А; 125Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 72А; 125Вт; TO220AB

148,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 72А; 130Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 72А; 130Вт; TO247AC

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86,7нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 13А; 280Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 13А; 280Вт; TO247AC

316,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,21мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 130А; 520Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 130А; 520Вт; TO247AC

326,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
161нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,5А; 160Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,5А; 160Вт; TO220-3

299,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,8А; 110Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,8А; 110Вт; TO220-3; ESD

152,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD