Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 73А; Idm: 275А; 500Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: MSC025SMA120B
1974,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MSC025SMA120B
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 232нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 31мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 500Вт
Сімейство: SMA
Стандартне пакування виробника: 30шт.
Струм стока: 73А
Струм стоку в імпульсі: 275А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1210

12,48 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Кристал; 16,9344МГц; SMD; 3,2x2,5x0,7мм; 8пФ; Стаб.част: ±50ppm
Кристал; 16,9344МГц; SMD; 3,2x2,5x0,7мм; 8пФ; Стаб.част: ±50ppm

24,52 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск резонаторів:
±30ppm
Ємність:
8пФ
Монтаж:
SMD
Недоступний
Провід: для живлення; HDGs, HDGsżo FE180/PH120/E90; 3G2,5мм2
Провід: для живлення; HDGs, HDGsżo FE180/PH120/E90; 3G2,5мм2

204,00 грн

Bластивості проводів:
низьке виділення диму
Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
дріт
Вид жили:
Cu
Недоступний
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; ERJ3RBD
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; ERJ3RBD

0,82 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 332кОм; SMD; 0402; ±1%; 50В; 0,063мм
Резистор: thick film; 332кОм; SMD; 0402; ±1%; 50В; 0,063мм

0,08 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
IC: цифровий; OR; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; SOT23-5; 1,65÷5,5ВDC; 10мкА
IC: цифровий; OR; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; SOT23-5; 1,65÷5,5ВDC; 10мкА

12,67 грн

Вид затвору:
OR
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
single; 1
Корпус:
SOT23-5
Модуль автоматики: перетворювач; тиск; -100÷100кПа; OUT: 2; DP-100
Модуль автоматики: перетворювач; тиск; -100÷100кПа; OUT: 2; DP-100

5907,89 грн

Вид вжитого дисплея:
LCD
Вид виходу 1:
PNP
Вид виходу 2:
аналоговий
Діапазон налаштування тиску:
-0,1...0,1МПа
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20,2А; 34Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20,2А; 34Вт; TO220FP

187,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20,2А; 151Вт; PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20,2А; 151Вт; PG-TO220-3

138,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 77,5А; 481Вт; PG-TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 77,5А; 481Вт; PG-TO247-3

751,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 15,5Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 15,5Вт; TO220F

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8,5нКл
Корпус:
TO220F
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; TO262
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; TO262

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30,6нКл
Корпус:
TO262
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 8А; 150Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 8А; 150Вт; TO247

271,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 900В; 11,6А; 250Вт
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 900В; 11,6А; 250Вт

421,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD