1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 75А; Idm: 250А; 576Вт

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 75А; Idm: 250А; 576Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: S3M0016120B
772,30 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: S3M0016120B
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 287нКл
Корпус: T2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -4...18В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 25мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 576Вт
Струм стока: 75А
Струм стоку в імпульсі: 250А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 50Вт; Iвих: 2,08А; Half Brick; THT; ККД: 83%
Перетворювач: DC/DC; 50Вт; Iвих: 2,08А; Half Brick; THT; ККД: 83%

8881,79 грн

Вихідна напруга:
24В
Вихідний струм:
2,08А
Додаткові функції:
дистанційне управління ON/OFF
Захист:
від короткого замикання SCP; перегрівання OTP; проти короткого замикання OVP
Недоступний
Аналізатор спектру; Вхід.імп: 50Ом; 0,005÷6000МГц; LCD 5,7"; USB
Аналізатор спектру; Вхід.імп: 50Ом; 0,005÷6000МГц; LCD 5,7"; USB

708817,39 грн

Вид вжитого дисплея:
LCD 5,7"
Вхідний імпеданс:
50Ом
Гарантія виробника (місяці):
36
Додаткові функції:
генератор відстеження
Роз’єм: провід-плата; гніздо; гніздовий; PIN: 3; правий; THT; 3,96мм
Роз’єм: провід-плата; гніздо; гніздовий; PIN: 3; правий; THT; 3,96мм

45,62 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
3
Механічний монтаж:
для проводу
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,9пФ
Недоступний
Вимикач максимального струму; 400ВAC; Iном: 10А; Полюси: 4; 10кА
Вимикач максимального струму; 400ВAC; Iном: 10А; Полюси: 4; 10кА

5389,01 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1
Електрична стійкість:
10000 цикли
Кількість полюсів:
4
Недоступний
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C

0,15 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Перемикач: кулачковий; Фікс.поз: 2; 10А; 0-1; для вбудовування
Перемикач: кулачковий; Фікс.поз: 2; 10А; 0-1; для вбудовування

2484,80 грн

Кількість всіх позицій:
2
Кількість полюсів:
1
Кількість фіксованих позицій:
2
Клас герметичності:
IP65 спереду
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268