Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 84А; Idm: 295А; 715Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DIW120SIC028
1251,90 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DIW120SIC028
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 373нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -5...20В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 26мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 715Вт
Струм стока: 84А
Струм стоку в імпульсі: 295А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Діод: TVS; 600Вт; 26,7÷29,5В; 15,4А; двоспрямована; ±5%; TransZorb®
Діод: TVS; 600Вт; 26,7÷29,5В; 15,4А; двоспрямована; ±5%; TransZorb®

20,91 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
24В
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 2; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 2; THT; straight

4,43 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
24,9мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; Uізол: 5кВ; Uce: 35В; SMD4; PIN: 4
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; Uізол: 5кВ; Uce: 35В; SMD4; PIN: 4

0,00 грн

Вид виходу:
Darlington
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
5В
Кількість каналів:
1
Резистор: thick film; 2,21кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,21кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷155°C

0,25 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0805

0,72 грн

Alias:
C0805C103M5RAC7800
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 6,6А; Idm: 70А; 2,3Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 6,6А; Idm: 70А; 2,3Вт

22,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
15,3нКл
Недоступний
IC: перетворювач А/D; Ch: 4; 12бит; 94,4кsps; 2,7÷3,6В; uMAX8
IC: перетворювач А/D; Ch: 4; 12бит; 94,4кsps; 2,7÷3,6В; uMAX8

698,18 грн

Відносна погрішність:
1LSB
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Інтерфейс:
I2C
Кількість каналів:
4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12А; 280Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12А; 280Вт; TO247AC

374,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 800В; 14А; 35Вт
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 800В; 14А; 35Вт

218,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 250мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 250мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92

80,46 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 560В; 32А; 284Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 560В; 32А; 284Вт; TO247-3

413,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,2А; Idm: 8А; 740мВт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,2А; Idm: 8А; 740мВт; TO92

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 69А; 36Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 69А; 36Вт; TO220FP

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 25А; 136Вт; PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 25А; 136Вт; PG-TO220-3

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT