Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 9А; Idm: 27А; 104Вт; SMA

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: MSC360SMA120SCT/RM
328,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MSC360SMA120SCT/RM
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 21нКл
Корпус: PSMT-16L
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 0,45Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 104Вт
Сімейство: SMA
Стандартне пакування виробника: 100шт.
Струм стока: 9А
Струм стоку в імпульсі: 27А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 150Ом; прецизійний; SMD; 1210; 300мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 150Ом; прецизійний; SMD; 1210; 300мВт; ±0,1%

6,34 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Резистор: thick film; 2,43Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F
Резистор: thick film; 2,43Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F

2,28 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
IC: цифровий потенціометр; SPI; QFN16; SMD; туба
IC: цифровий потенціометр; SPI; QFN16; SMD; туба

69,06 грн

Вид пам’яті:
енергонезалежний
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
QFN16
Недоступний
Резистор: thick film; 169Ом; SMD; 1210; 250мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 169Ом; SMD; 1210; 250мВт; ±1%; CQ; 200В

0,72 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 16; THT; 3A; 150V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 16; THT; 3A; 150V

346,55 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
7мм
Довжина відводів:
13,08мм
Недоступний
Ферит: кільцевий; Øвнутр: 10,7мм; Øзовн: 19мм; феромагнетик Ni-Zn
Ферит: кільцевий; Øвнутр: 10,7мм; Øзовн: 19мм; феромагнетик Ni-Zn

88,06 грн

Висота:
5,3мм
Діаметр внутрішній:
10,7мм
Діаметр зовнішній:
19мм
Матеріал стержня:
феромагнетик Ni-Zn
Недоступний
Резистор: thin film; 56,2кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 56,2кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; TC; 200В

2,45 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,17А; 402мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,17А; 402мВт; SOT23,TO236AB

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,49нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 5,6А; 2Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 5,6А; 2Вт; SOT223

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 53Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 53Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм

79,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 77Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 77Вт; VSONP8; 5x6мм

122,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 14,4А; 20,2Вт; WSON6; 2x2мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 14,4А; 20,2Вт; WSON6; 2x2мм

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
WSON6
Транзистор: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET

216,04 грн

Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,5А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,5А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD