Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 88Вт

Немає в наявності
Код товару: G3R450MT17D
325,65 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G3R450MT17D
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 18нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -5...15В
Напруга сток-джерело: 1,7кВ
Опір в стані провідності: 0,45Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 88Вт
Струм стока: 6А
Струм стоку в імпульсі: 16А
Технологія: G3R™; SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Реактор: дротяний; SMD; 1000мкГн; 700мА; R: 0,3Ом; -30÷50%; 5000
Реактор: дротяний; SMD; 1000мкГн; 700мА; R: 0,3Ом; -30÷50%; 5000

82,36 грн

Допуск:
-30...50%
Індуктивність:
1мГн
Монтаж:
SMD
Опір:
0,3Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 3,4Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,4Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 196Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF
Резистор: thick film; 196Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF

1,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Датчик: руху; 230ВAC; IP20; -10÷50°C; Діапазон: 10с÷20мин; 200Вт
Датчик: руху; 230ВAC; IP20; -10÷50°C; Діапазон: 10с÷20мин; 200Вт

4610,37 грн

Вид датчика:
інфракрасний
Властивості датчиків:
регулювання чутливості
Діапазон підраховування:
10с...20мин
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 21; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 21; SMT; 3A; 100V

185,63 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 48; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 48; THT; straight

45,62 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
16,5мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 8,2мкГн; ±20%; V; 8,8x8,4x3,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 8,2мкГн; ±20%; V; 8,8x8,4x3,8мм

18,31 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
8,2мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
8,8x8,4x3,8мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12А; 280Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12А; 280Вт; TO247AC

374,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 800В; 14А; 35Вт
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 800В; 14А; 35Вт

218,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 250мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 250мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92

80,46 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 560В; 32А; 284Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 560В; 32А; 284Вт; TO247-3

413,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,2А; Idm: 8А; 740мВт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,2А; Idm: 8А; 740мВт; TO92

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 69А; 36Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 69А; 36Вт; TO220FP

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 25А; 136Вт; PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 25А; 136Вт; PG-TO220-3

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT