Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1кВ; 35А; 113,5Вт; D2PAK-7

Немає в наявності
Код товару: C3M0065100J
809,05 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: C3M0065100J
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Вид каналу: збагачений
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 9нКл
Корпус: D2PAK-7
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -8...19В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 65мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 113,5Вт
Струм стока: 35А
Технологія: C3M™; SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 14нс
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; 24ВDC; Iвих: 4А; Iвих.2: 417мА; DIP6; THT
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; 24ВDC; Iвих: 4А; Iвих.2: 417мА; DIP6; THT

Вихідна напруга 2:
24В DC
Вихідний струм:
4А
Відповідність стандарту:
CE
Зовнішні розміри:
70x48x26мм
Недоступний
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 128 H BK 0,6/1 kV; 2x1мм2; 0,6кВ,1кВ; Cu
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 128 H BK 0,6/1 kV; 2x1мм2; 0,6кВ,1кВ; Cu

109,60 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
негалогенний; не поширює полум'я
Недоступний
Мікроперемикач SNAP ACTION; 6A/250ВAC; SPDT; ON-(ON); Поз: 2; IP40
Мікроперемикач SNAP ACTION; 6A/250ВAC; SPDT; ON-(ON); Поз: 2; IP40

617,08 грн

Виводи:
конектори
Властивості перемикачів:
без важеля; сертифікат UL, CSA, ENEC
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,53 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,4пФ
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; R79; 1нФ; 630ВDC; 220ВAC; THT; ±5%
Конденсатор: поліпропиленовий; R79; 1нФ; 630ВDC; 220ВAC; THT; ±5%

11,02 грн

Довжина відводів:
17мм
Допуск:
±5%
Ємність:
1нФ
Імпульсна міцність:
500В/мкс
Недоступний
Резистор: thick film; 7,32кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D
Резистор: thick film; 7,32кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D

1,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 20кОм; THT; 500мВт; ±5%; 250В; Ш0,54x28мм
Резистор: вуглецевий; 20кОм; THT; 500мВт; ±5%; 250В; Ш0,54x28мм

0,62 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,8мм
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD