1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 40А; Idm: 130А; 370Вт

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 40А; Idm: 130А; 370Вт
Немає в наявності
Код товару: LGE3M35065Q
832,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: LGE3M35065Q
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 30нКл
Корпус: TO247-4
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -5...18В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 55мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 370Вт
Струм стока: 40А
Струм стоку в імпульсі: 130А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 8÷36ВDC; Uвих: -5ВDC,5ВDC; Uвих.2: -5ВDC
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 8÷36ВDC; Uвих: -5ВDC,5ВDC; Uвих.2: -5ВDC

183,73 грн

Вихідна напруга:
-5В DC; 5В DC
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
0...1А
Вхідна напруга:
8...36В DC
Недоступний
Насадка: 6-гранна; насадковий; HEX 1/4"; 1/4"; 23мм
Насадка: 6-гранна; насадковий; HEX 1/4"; 1/4"; 23мм

215,41 грн

Вид ключа:
насадковий
Довжина насадки:
23мм
Розмір гнізда - дюйм:
HEX 1/4"
Розмір гнізда тримача - дюйм:
1/4"
Недоступний
IC: перетворювач D/A; 8бит; 3,4Мsps; Ch: 2; 1,8÷5,5В; MSOP10; туба
IC: перетворювач D/A; 8бит; 3,4Мsps; Ch: 2; 1,8÷5,5В; MSOP10; туба

114,67 грн

Max DNL:
±0,1LSB
Max INL:
±0,1LSB
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 82пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 82пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; 417Вт; TO247

505,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 33А; 357Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 33А; 357Вт; TO220AB

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 61А; 568Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 61А; 568Вт; TO247-3

346,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 86Вт

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
90нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; польовий; 650В; 10,7А; 30Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; польовий; 650В; 10,7А; 30Вт; ESD

250,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 24А; 74Вт; TO3PF
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 24А; 74Вт; TO3PF

282,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO3PF
Монтаж:
THT