Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 76А; Idm: 161А; 375Вт

Немає в наявності
Код товару: B3M025065R
90,60 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: B3M025065R
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 98нКл
Корпус: TO263-7
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -5...18В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 25мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 375Вт
Струм стока: 76А
Струм стоку в імпульсі: 161А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: FPGA; Число макровічок: 27696; лоток; 1,2В
IC: FPGA; Число макровічок: 27696; лоток; 1,2В

5757,74 грн

Вид упаковки:
лоток
Напруга живлення:
1,2В
Тип інтегральної мікросхеми:
FPGA
Число макровічок:
27696
Недоступний
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 32кБ; 4кБSRAM; UQFN36; 4,5÷5,5ВDC; DSPIC
IC: мікроконтролер dsPIC; 32кБ; 4кБSRAM; UQFN36; 4,5÷5,5ВDC; DSPIC

167,89 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); DMAC x4; motor controller; PoR; watchdog
Генератор вбудований:
32,768кГц; 7,37МГц
Недоступний
Резистор: thick film; 1,47кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 1,47кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

1,51 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
1,47кОм
Недоступний
Описова табличка; Позначення клавіші: EIN-AUS
Описова табличка; Позначення клавіші: EIN-AUS

65,89 грн

Позначення клавіші:
EIN - AUS
Тип аксесуарів для перемикачів:
описова табличка
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 38; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 38; THT; 1.5A

282,56 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
9,2мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THT; 3A; 250V

337,05 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 200В; 1А; 3,3Вт
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 200В; 1А; 3,3Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 40А; 75Вт; DFN8; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 40А; 75Вт; DFN8; автомобільна галузь

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
100В
Поляризація:
польовий
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 17А; 100Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 17А; 100Вт; TO263

306,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 12А; 23Вт; DFN6; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 12А; 23Вт; DFN6; автомобільна галузь

30,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,5нКл
Корпус:
DFN6
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 40А; 62Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 40А; 62Вт; DFN8

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,1нКл
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 284А; Idm: 1,8кА; 291Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 284А; Idm: 1,8кА; 291Вт

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
109нКл