Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 650В; 11А; 78Вт; TO220

Name: Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 650В; 11А; 78Вт; TO220
Brand: GOFORD SEMICONDUCTOR
SKU: GC11N65T
Price: 85.53 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: GC11N65T

85,53 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

GC11N65T

Виробник:

GOFORD SEMICONDUCTOR

Вид каналу:

збагачений

Заряд затвора:

21нКл

Корпус:

TO220

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±30В

Напруга сток-джерело:

650В

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

78Вт

Струм стока:

11А

Технологія:

SJ-MOSFET

Тип транзистора:

N-MOSFET

Переглянуті товари

Недоступний

Бажані

Резистор: thin film; 1,11кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; RN73H; 200В

12,92 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200

Допуск:
±0,1%

Імпульсна макс. напруга:
400В

Корпус - дюйм:
1206

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; TO220AB

116,57 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
160нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 72А; 125Вт; TO220AB

148,25 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
70нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 72А; 130Вт; TO247AC

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
86,7нКл

Корпус:
TO247AC

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 13А; 280Вт; TO247AC

316,78 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
0,21мкКл

Корпус:
TO247AC

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 171А; 517Вт; TO247AC

292,70 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
151нКл

Корпус:
TO247AC

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,5А; 160Вт; TO220-3

299,04 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO220-3

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,8А; 110Вт; TO220-3; ESD

152,05 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO220-3

Модель:
ESD