1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 120В; 60А; 300Вт

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 120В; 60А; 300Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STP80NF12
143,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STP80NF12
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 120В
Опір в стані провідності: 18мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 60А
Технологія: STripFET™ II
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thin film; 143кОм; SMD; 0603; 125мВт,210мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 143кОм; SMD; 0603; 125мВт,210мВт; ±0,1%

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 187Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 187Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%

50,68 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 29,4кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; HP; 50В
Резистор: thick film; 29,4кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; HP; 50В

0,10 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 1000Ом; SMD; 200мА; 0603; R: 850мОм; BLM
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 1000Ом; SMD; 200мА; 0603; R: 850мОм; BLM

1,13 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Імпеданс при 100МГц:
1кОм
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷2мм; 10÷30ВDC; M8; IP67; 150мА
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷2мм; 10÷30ВDC; M8; IP67; 150мА

1376,71 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
0...2мм
Загальна довжина:
65мм
Кількість пін:
4
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; DPDT; Iконтактів max: 10А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; DPDT; Iконтактів max: 10А

601,88 грн

Виводи:
конектори
Зовнішні розміри:
28x21,5x36мм
Індикація:
LED
Конструкція:
тест-кнопка
Недоступний
Резистор: thick film; 680Ом; 0201; 50мВт; ±1%; CRT; -55÷125°C
Резистор: thick film; 680Ом; 0201; 50мВт; ±1%; CRT; -55÷125°C

0,02 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Опір:
680Ом
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт

763,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
128нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт

662,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
287нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC

217,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
IPAK; TO251
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт

1384,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
162нКл
Корпус:
TO247-4
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
-35В