1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ III; польовий; 30В; 120А; Idm: 480А

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ III; польовий; 30В; 120А; Idm: 480А
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STP200NF03
153,95 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STP200NF03
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 0,14мкКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 3,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 120А
Струм стоку в імпульсі: 480А
Технологія: STripFET™ III
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 6,98кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 6,98кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 1кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 1кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206

1,64 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 18ВDC; SPDT; Iконтактів max: 10А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 18ВDC; SPDT; Iконтактів max: 10А

248,99 грн

Конфігурація контактів:
SPDT
Макс. струм контактів:
10А
Матеріал контакту:
AgNi
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,8пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,17 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,5пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 2,26кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; TFR
Резистор: thin film; 2,26кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; TFR

33,13 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 400мА
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 400мА

164,09 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
0,4А
Відповідність стандарту:
CE
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 9,2А; Idm: 28А; 156Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 9,2А; Idm: 28А; 156Вт; TO220AB

148,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 5А; Idm: 32А; 70Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 5А; Idm: 32А; 70Вт

190,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 110А; Idm: 440А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 110А; Idm: 440А

146,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
117нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 800В; 1,3А; Idm: 8А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 800В; 1,3А; Idm: 8А

58,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 650В; 26А; Idm: 90А; 350Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 650В; 26А; Idm: 90А; 350Вт

462,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
58нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 31Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 31Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; TO3P

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO3P
Монтаж:
THT