Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 200В; 11А; 30Вт; TO220FP

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STF20NF20
105,80 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STF20NF20
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO220FP
Модель: ESD
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 0,125Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 30Вт
Струм стока: 11А
Технологія: STripFET™
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thin film; 53,6кОм; 63мВт; 1x0,5x0,3мм; -55÷155°C
Резистор: thin film; 53,6кОм; 63мВт; 1x0,5x0,3мм; -55÷155°C

25,98 грн

Опір:
53,6кОм
Потужність:
63мВт
Робоча температура:
-55...155°C
Розміри корпусу:
1x0,5x0,3мм
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 12ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 167мА; SIP7
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 12ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 167мА; SIP7

280,66 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
0,167А
Вхідна напруга:
12В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 20пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 20пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201

0,25 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: metal film; 12кОм; THT; 1Вт; ±5%; Ø2,6x6,8мм; осьові
Резистор: metal film; 12кОм; THT; 1Вт; ±5%; Ø2,6x6,8мм; осьові

2,48 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,6мм
Довжина:
6,8мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Викрутка: динамометрична; динамометрична,прецизійна; 1/4"
Викрутка: динамометрична; динамометрична,прецизійна; 1/4"

51627,66 грн

Батарея/акумулятор:
батарея 3,6В x1
Вид викрутки:
динамометрична; прецизійна
Використання інструментів:
electronics
Властивості викруток:
двокомпонентний матеріал рукоятки
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 330нФ; 40ВAC; 63ВDC; 5мм; ±10%; MKT; THT
Конденсатор: поліестровий; 330нФ; 40ВAC; 63ВDC; 5мм; ±10%; MKT; THT

6,78 грн

Довжина відводів:
6мм
Допуск:
±10%
Ємність:
0,33мкФ
Кліматична категорія:
IEC 60068-1
Недоступний
Резистор: thick film; 3,24кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,24кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А

152,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
68,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

270,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт

343,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт

1828,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
224нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3