Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 950В; 5А; 130Вт; ESD

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STP10N95K5
200,20 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STP10N95K5
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO220-3
Модель: ESD
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 950В
Опір в стані провідності: 0,8Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 130Вт
Струм стока: 5А
Технологія: SuperMESH5™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 6,4В; SMD; DO213AA; 2мкА
Діод: зенера; 500мВт; 6,4В; SMD; DO213AA; 2мкА

343,39 грн

Зенерівська напруга:
6,4В
Корпус:
DO213AA
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Недоступний
Резистор: thin film; 16,2кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 16,2кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
IC: рація Ethernet; full duplex,GMII,half duplex,MDI-X; VQFN72
IC: рація Ethernet; full duplex,GMII,half duplex,MDI-X; VQFN72

331,35 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
MAC; PHY
Інтерфейс:
full duplex; GMII; half duplex; MDI-X
Категорія Ethernet:
10/100/1000Base-T
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 33,3В; 62А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1; 5нФ
Діод: TVS; 3кВт; 33,3В; 62А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1; 5нФ

21,41 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
5нФ
Зворотна напруга макс.:
30В
Кількість каналів:
1
Недоступний
Модуль автоматики: термометр; температура; 0÷100°C; Ø: 10мм
Модуль автоматики: термометр; температура; 0÷100°C; Ø: 10мм

1854,41 грн

Використання:
гази; рідини
Властивості датчиків:
занурювальна трубка під кутом 90°
Діаметр стержня:
10мм
Діапазон контрольованої величини:
0...100°C
Недоступний
Діод: зенера; 1,25Вт; 3,9В; SMD; DO213AB,MELF glass; 25мкА
Діод: зенера; 1,25Вт; 3,9В; SMD; DO213AB,MELF glass; 25мкА

219,84 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
3,9В
Корпус:
DO213AB; MELF glass
Недоступний
Tap: metric; M35; fine thread,right hand thread; 1; L: 100mm; 22mm
Tap: metric; M35; fine thread,right hand thread; 1; L: 100mm; 22mm

6244,94 грн

Type of tap:
метрична
Вид різьблення:
права; тонка нитка
Вид рукоятки:
квадрат; ручний
Використання інструментів:
для крізних отворів; для некрізних отворів
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 33А; 36Вт
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 33А; 36Вт

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; TO247

235,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
180нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3А; Idm: 12А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3А; Idm: 12А; 20Вт; TO220FP

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6,4А; Idm: 25,6А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6,4А; Idm: 25,6А; 125Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А

199,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 1,2кВ; 7,6А; Idm: 48А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 1,2кВ; 7,6А; Idm: 48А

433,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 30В; 112А; Idm: 480А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 30В; 112А; Idm: 480А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220-3