Транзистор: N-MOSFET; Trench; 100В; 60А; 176Вт; TO3P; 59нс

Немає в наявності
Код товару: IXTQ60N10T
125,44 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IXTQ60N10T
Виробник: IXYS
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 49нКл
Корпус: TO3P
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: 30В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 18мОм
Потужність розсіювання: 176Вт
Струм стока: 60А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 59нс
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 53,3÷58,9В; 5,2А; двоспрямована; DO214AC,SMA
Діод: TVS; 400Вт; 53,3÷58,9В; 5,2А; двоспрямована; DO214AC,SMA

8,74 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
48В
Роз’єм: провід-провід; гніздовий; PIN: 2; прямий; для проводу
Роз’єм: провід-провід; гніздовий; PIN: 2; прямий; для проводу

10,01 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
2
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Діод: зенера; 0,5Вт; 19,23÷20,22В; SMD; DO219AC,microSMF
Діод: зенера; 0,5Вт; 19,23÷20,22В; SMD; DO219AC,microSMF

1,34 грн

Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±3%
Зенерівська напруга:
19,23...20,22В
Корпус:
DO219AC; microSMF
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 50В; X7R; ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 50В; X7R; ±5%; SMD; 0603

10,14 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; вилка; 250В; TPU; IP67,IP69K; 1м
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; вилка; 250В; TPU; IP67,IP69K; 1м

2045,75 грн

Довжина проводу:
1м
Ізоляційний матеріал проводу:
TPU
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67; IP69K
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 80А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 80А; 200Вт; TO220AB

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
146нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,2А; Idm: 6А; 36Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,2А; Idm: 6А; 36Вт; TO220AB

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 231А; 465Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 231А; 465Вт

853,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
0,22мкКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 98А; 150Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 98А; 150Вт; TO247AC

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
113,3нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,9А; 190Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,9А; 190Вт; TO247AC

273,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
200нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 100В; 35А; 150Вт
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 100В; 35А; 150Вт

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,4А; 70Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,4А; 70Вт; TO220-3; ESD

113,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD