1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 0,8А; Idm: 4А; 350мВт

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 0,8А; Idm: 4А; 350мВт
Немає в наявності
Код товару: PMZB290UNE2YL
13,94 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PMZB290UNE2YL
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 1,4нКл
Корпус: DFN1006B-3; SOT883B
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 1,19Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,35Вт
Струм стока: 0,8А
Струм стоку в імпульсі: 4А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 470мкФ; 25ВDC; Ø8x16мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 470мкФ; 25ВDC; Ø8x16мм; ±20%

0,00 грн

Висота:
16мм
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Ємність:
470мкФ
Діод: TVS; 0,4кВт; 33,3÷36,8В; 8,3А; односпрямована; ±5%; SMA; SMAJ
Діод: TVS; 0,4кВт; 33,3÷36,8В; 8,3А; односпрямована; ±5%; SMA; SMAJ

13,30 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
30В
Корпус:
SMA
Недоступний
Провід: спіральний; UNITRONIC® SPIRAL; 4x0,25мм2; PUR; чорний
Провід: спіральний; UNITRONIC® SPIRAL; 4x0,25мм2; PUR; чорний

1116,32 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з мідного дроту
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Довжина спірального проводу після розтягування:
1,6м
Недоступний
Резистор: thick film; 52,3кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 52,3кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HP; 200В

0,51 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; 30Вт; 120÷370ВDC; 85÷264ВAC; OUT: 1
Блок живлення: імпульсний; 30Вт; 120÷370ВDC; 85÷264ВAC; OUT: 1

2224,41 грн

Використання:
медичні програми
Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
1,25А
Електричне під'єднування:
THT
Недоступний
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; D-Sub 9pin,D-Sub HD 15pin; IP67
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; D-Sub 9pin,D-Sub HD 15pin; IP67

262,92 грн

Застосування - серія/виробник:
Variosub
Застосування роз’ємів:
D-Sub 9pin; D-Sub HD 15pin
Клас герметичності:
IP67
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 0402; 125мВт; ±5%; AS; 50В
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 0402; 125мВт; ±5%; AS; 50В

0,49 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD