1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 40В; 190А; Idm: 600А; 395Вт

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 40В; 190А; Idm: 600А; 395Вт
Немає в наявності
Код товару: BUK7J1R4-40HX
159,02 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BUK7J1R4-40HX
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 103нКл
Корпус: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 1,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 395Вт
Струм стока: 190А
Струм стоку в імпульсі: 600А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Модуль автоматики: світло сигналізатор; оранжевий; 12÷230ВDC
Модуль автоматики: світло сигналізатор; оранжевий; 12÷230ВDC

1307,65 грн

Використання:
колона сигналізації
Клас герметичності:
IP54
Колір:
оранжевий
Напруга живлення:
12...230В AC; 12...230В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 84,5Ом; SMD; 0508; 750мВт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 84,5Ом; SMD; 0508; 750мВт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Тримач; плоскa; HEX 1/4"; з обмежувачем; Насадки до викруток
Тримач; плоскa; HEX 1/4"; з обмежувачем; Насадки до викруток

497,97 грн

Вид рукоятки:
магнітний; універсальний
Використання інструментів:
Насадки до викруток
Модель:
з обмежувачем
Розмір гнізда - дюйм:
HEX 1/4"
Недоступний
Резистор: thin film; 11,5Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 11,5Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

9,88 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 931Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±0,1%; MCT0603; H; 75В
Резистор: thin film; 931Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±0,1%; MCT0603; H; 75В

72,23 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Радіатор: штампований; ребристий; BGA,FPGA; чорний; L: 25,02мм
Радіатор: штампований; ребристий; BGA,FPGA; чорний; L: 25,02мм

71,59 грн

Використання:
BGA; FPGA
Висота:
9,91мм
Довжина:
25,02мм
Колір:
чорний
Недоступний
Резистор: thick film; 1,74кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 1,74кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 13А; Idm: 30А; 17Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 13А; Idm: 30А; 17Вт; TO252

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
114,6нКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
167нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8

26,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 110А; 200Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 110А; 200Вт; D2PAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD