1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 3А; 1,5Вт; SOT23

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 3А; 1,5Вт; SOT23
Немає в наявності
Код товару: G1003B
42,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G1003B
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 30нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,5Вт
Струм стока: 3А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 30мОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 30мОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷125°C

0,61 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Кабель; 0,5м; SMA "папа",SMA "мама"; коричневий; 0÷3ГГц; 50Ом
Кабель; 0,5м; SMA "папа",SMA "мама"; коричневий; 0÷3ГГц; 50Ом

714,65 грн

Вид кабелю:
RG178
Довжина кабелю:
0,5м
Імпеданс:
50Ом
Клас герметичності:
IP68
Недоступний
Резистор: thick film; 105Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; RK73G; 50В
Резистор: thick film; 105Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; RK73G; 50В

0,44 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Лабораторний роз’єм: банан 4мм; гніздо; 1кВ; 32А; червоний; 41мм
Лабораторний роз’єм: банан 4мм; гніздо; 1кВ; 32А; червоний; 41мм

363,66 грн

Відповідність стандарту:
CAT III 1000V; EN 61010
Загальна довжина:
41мм
Колір:
червоний
Матеріал ізоляції:
поліамід
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H; 150В
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H; 150В

0,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Запобіжник: плавка; 5x20мм; керамічний,циліндровий; clip-on
Запобіжник: плавка; 5x20мм; керамічний,циліндровий; clip-on

287,00 грн

Вид запобіжника:
керамічний; циліндровий
Застосування запобіжників:
захист напівпровідникових елементів; схеми із запуском
Монтаж:
clip-on
Номінальна напруга:
250В AC
Недоступний
Резистор: metal film; 715кОм; THT; 250мВт; ±1%; MF; 250В; -55÷155°C
Резистор: metal film; 715кОм; THT; 250мВт; ±1%; MF; 250В; -55÷155°C

2,06 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,3мм
Довжина:
6,3мм
Допуск:
±1%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK

203,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
5,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD

88,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD