Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 5А; 1,6Вт; SOT89

Немає в наявності
Код товару: G1K3N10G
42,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G1K3N10G
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 19нКл
Корпус: SOT89
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,6Вт
Струм стока: 5А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; 2м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; Жили: 5
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; 2м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; Жили: 5

962,37 грн

Довжина кабелю:
2м
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
жовтий
Недоступний
Резистор: metal film; 39кОм; THT; 2Вт; ±1%; Ø3,9x10мм; -55÷155°C
Резистор: metal film; 39кОм; THT; 2Вт; ±1%; Ø3,9x10мм; -55÷155°C

5,63 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Опір:
39кОм
Недоступний
Резистор: thin film; 2,8кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 2,8кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%

126,71 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Connector: wire-board; male; data; Inom: 3A; 250V; PIN: 3; shrouded
Connector: wire-board; male; data; Inom: 3A; 250V; PIN: 3; shrouded

57,65 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
3
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 2кВ; 1А; Ifsm: 30А; DO41; cтрічка; Ufmax: 1,1В
Діод: випрямний; THT; 2кВ; 1А; Ifsm: 30А; DO41; cтрічка; Ufmax: 1,1В

20,91 грн

Вид упаковки:
cтрічка
Зворотна напруга макс.:
2кВ
Корпус:
DO41
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 137Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В
Резистор: thick film; 137Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В

0,18 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А
Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А

4406,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Напруга сток-джерело:
90В
Струм стока:
12А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8

11,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD