Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 12В; 2,5А; Idm: 15А; ESD

Немає в наявності
Код товару: PMXB40UNEZ
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5000
Крок додавання: 5000
Код товару: PMXB40UNEZ
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 11,6нКл
Корпус: DFN1010D-3; SOT1215
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 12В
Опір в стані провідності: 67мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: 2,5А
Струм стоку в імпульсі: 15А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 1,6кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; ERA3AED
Резистор: thin film; 1,6кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; ERA3AED

1,96 грн

Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 80А; Полюси: 3
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 80А; Полюси: 3

8623,30 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898; IEC EN 60947-2
Електрична стійкість:
20000 цикли
Кількість полюсів:
3
Недоступний
Резистор: thick film; 1,2Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,2Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 500В; -55÷155°C

3,46 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 13; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 13; THT; straight

17,23 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
26,7мм
Електричний монтаж:
THT
Конденсатор: поліестровий; 1,5нФ; 100ВDC; 5мм; ±5%; 168; THT
Конденсатор: поліестровий; 1,5нФ; 100ВDC; 5мм; ±5%; 168; THT

40,48 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
1,5нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
5мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50В; X5R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50В; X5R; ±10%; SMD; 1206

0,83 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
1мкФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK

171,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7А; 4,17Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7А; 4,17Вт; SOT223

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
9,3нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40,6А; PowerDI3333-8
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40,6А; PowerDI3333-8

15,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
28,4нКл
Корпус:
PowerDI3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 14А; 74Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 14А; 74Вт; SMA

336,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
10,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А

133,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
200нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-12...16В