Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 2,3А; Idm: 12,8А; ESD

Немає в наявності
Код товару: PMXB43UNEZ
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5000
Крок додавання: 5000
Код товару: PMXB43UNEZ
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 10нКл
Корпус: DFN1010D-3; SOT1215
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 83мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: 2,3А
Струм стоку в імпульсі: 12,8А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; SMT; 3A; 250V

282,56 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Connector: PCB to PCB; male; data; PIN: 152; MICTOR; Inom: 11.5A; 30V
Connector: PCB to PCB; male; data; PIN: 152; MICTOR; Inom: 11.5A; 30V

8939,44 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
152
Недоступний
Резистор: metal film; 45,3Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V
Резистор: metal film; 45,3Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V

15,97 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD

1,64 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Connector: wire-wire; plug; male; data; Inom: 9A; 600V; PIN: 8; 4.2mm
Connector: wire-wire; plug; male; data; Inom: 9A; 600V; PIN: 8; 4.2mm

685,51 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
затискання; компресійний
Кількість пін:
8
Недоступний
Резистор: thick film; 82Ом; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 82Ом; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C

0,48 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 5,6мкГн; 500мА; R: 0,47Ом; ±10%; LQH
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 5,6мкГн; 500мА; R: 0,47Ом; ±10%; LQH

7,48 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
5,6мкГн
Корпус - дюйм:
1812
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт

3,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT26; SOT457
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
MPT3