Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5,7А; Idm: 36А; ESD

Немає в наявності
Код товару: PMPB10XNE,115
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: PMPB10XNE,115
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 34нКл
Корпус: DFN2020MD-6; SOT1220
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 21мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: 5,7А
Струм стоку в імпульсі: 36А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Гніздо; гніздовий; 125В; PIN: 34; кутовий; на панель,на PCB; THT
Гніздо; гніздовий; 125В; PIN: 34; кутовий; на панель,на PCB; THT

1882,29 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
34
Клас горючості:
UL94V-0
Конденсатор: поліестровий; 3300пФ; 5мм; 7,2x2,5x6,5мм
Конденсатор: поліестровий; 3300пФ; 5мм; 7,2x2,5x6,5мм

2,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Ємність:
3,3нФ
Растр виводів:
5мм
Розміри корпусу:
7,2x2,5x6,5мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 50ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 50ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0402

0,33 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1нФ
Недоступний
Оптотріак; 4,42кВ; Uвих: 800В; симистор,схема перемикання у нулі
Оптотріак; 4,42кВ; Uвих: 800В; симистор,схема перемикання у нулі

0,00 грн

Вид виходу:
симистор; схема перемикання у нулі
Вихідна напруга:
800В
Відповідність стандарту:
UL
Зворотна напруга макс.:
6В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,10 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1пФ
Недоступний
IC: цифровий; неінвертуючий,тригер D; Ch: 6; IN: 6; CMOS; SMD; 74LV
IC: цифровий; неінвертуючий,тригер D; Ch: 6; IN: 6; CMOS; SMD; 74LV

17,55 грн

Вид виходу:
push-pull
Вид об'єднаної схеми:
неінвертуючий; тригер D
Кількість виходів:
6
Кількість каналів:
6
Недоступний
Варистор: металооксидний; THT; 150ВAC; 200ВDC; 240В; 8000А; H: 4,9мм
Варистор: металооксидний; THT; 150ВAC; 200ВDC; 240В; 8000А; H: 4,9мм

31,49 грн

Висота:
4,9мм
Діаметр:
21,5мм
Енергія 2 мс:
85Дж
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268