Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 168А; 140Вт; TO220

Немає в наявності
Код товару: G020N03T
48,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G020N03T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 110нКл
Корпус: TO220
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 140Вт
Струм стока: 168А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.5mm; GKS-100; steel; 2.25N; push-in
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.5mm; GKS-100; steel; 2.25N; push-in

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні; самоочищення
Діаметр наконечника:
1,5мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 42; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 42; SMT; 3A; 250V

321,85 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
8,2мм
Штекерний; Minitek; PIN: 16; позолочений; прямий; паяння; -55÷125°C
Штекерний; Minitek; PIN: 16; позолочений; прямий; паяння; -55÷125°C

62,09 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
16
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7МОм; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HP; 200В
Резистор: thick film; 4,7МОм; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HP; 200В

1,29 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Резистор: thick film; 24Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H; 150В
Резистор: thick film; 24Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H; 150В

0,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Роз’єм: плата-плата; планка штирова; Покриття: позолочений; 0,8мм
Роз’єм: плата-плата; планка штирова; Покриття: позолочений; 0,8мм

296,50 грн

Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Механічний монтаж:
на PCB
Номінальна напруга:
100В; 100В AC
Недоступний
Ключ: комбінований; двосторонній,SPLINE; 7/16"; 135мм; сталь; хром
Ключ: комбінований; двосторонній,SPLINE; 7/16"; 135мм; сталь; хром

1407,12 грн

Вид ключа:
SPLINE; двосторонній
Властивості ключів:
кільцева голівка вигнута на 15°; плоска голівка відігнута на 15°
Довжина:
135мм
Матеріал:
сталь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 60А; Idm: 190А; 375Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 60А; Idm: 190А; 375Вт

918,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
40нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт

763,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
128нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт

662,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
287нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 4А; Idm: 20А; 43Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 4А; Idm: 20А; 43Вт; TO220AB

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт; TO220AB

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 160Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 160Вт; TO247AC

137,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 17А; 45Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 17А; 45Вт; TO220AB

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
13,3нКл
Корпус:
TO220AB