Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 16А; 3,8Вт; SOP8

Немає в наявності
Код товару: G16N03S
44,35 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G16N03S
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 17нКл
Корпус: SOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,8Вт
Струм стока: 16А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Кабель; High Speed,USB 2.0; USB A вилка,USB C вилка; 1м; чорний
Кабель; High Speed,USB 2.0; USB A вилка,USB C вилка; 1м; чорний

190,70 грн

Довжина кабелю:
1м
Колір ізоляції:
чорний
Колір роз'єму:
червоний; чорний
Конструкція кабелю/переходу:
USB A вилка; USB C вилка
Резистор: thin film; 910Ом; 0603; 62,5мВт; ±0,1%; PCF; -55÷125°C
Резистор: thin film; 910Ом; 0603; 62,5мВт; ±0,1%; PCF; -55÷125°C

11,72 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWH; 0,011мкФ; 1кВDC; THT; ±5%
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWH; 0,011мкФ; 1кВDC; THT; ±5%

14,51 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
11нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
10мм
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷4мм; 10÷36ВDC; M12; 2м; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷4мм; 10÷36ВDC; M12; 2м; IP67

1521,80 грн

Вид голівки:
неекранований
Дальність:
0...4мм
Довжина відводів:
2м
Загальна довжина:
50,8мм
Patch cord; Cat 6; з обох сторін; 1524мм; 24AWG
Patch cord; Cat 6; з обох сторін; 1524мм; 24AWG

193,87 грн

Будова екрану:
неекранований
Діаметр жили:
24AWG
Довжина кабелю:
1,524м
Категорія Ethernet:
Cat 6
Недоступний
Оптрон; THT; Ch: 2; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 35В; Urmax: 6В
Оптрон; THT; Ch: 2; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 35В; Urmax: 6В

65,26 грн

CTR@If:
300-600%@5mA
Вид виходу:
транзисторний
Вид упаковки:
туба
Відповідність стандарту:
VDE
Недоступний
IC: пам'ять FLASH; 512ГбFLASH; eMMC; 200МГц; 2,7÷3,6В; послідовний
IC: пам'ять FLASH; 512ГбFLASH; eMMC; 200МГц; 2,7÷3,6В; послідовний

5425,75 грн

Вид пам’яті:
eMMC; NAND
Інтерфейс:
eMMC
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
512Гб FLASH
Транзистор: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET

470,73 грн

Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; 40В; 120А; 127Вт; PowerFLAT 5x6
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; 40В; 120А; 127Вт; PowerFLAT 5x6

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
PowerFLAT 5x6
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт

233,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 14А; 48Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 14А; 48Вт; DPAK

75,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
40нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 0,6А; 2Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 0,6А; 2Вт; TSOP6

36,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 20А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 20А; 2,5Вт; SO8

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD