1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 2,6А; Idm: 16А

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 2,6А; Idm: 16А
Немає в наявності
Код товару: PMV45EN2VL
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: PMV45EN2VL
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 6,3нКл
Корпус: SOT23; TO236AB
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 66мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: 2,6А
Струм стоку в імпульсі: 16А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: перетворювач А/D; Ch: 4; 16бит; 250кsps; 2,3÷5,5В; LFCSP20
IC: перетворювач А/D; Ch: 4; 16бит; 250кsps; 2,3÷5,5В; LFCSP20

952,86 грн

Max INL:
±1,5LSB
Інтерфейс:
DSP; Microwire; QSPI; serial; SPI
Кількість каналів:
4
Корпус:
LFCSP20
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 50В; C0G (NP0); ±10%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 50В; C0G (NP0); ±10%; SMD

0,76 грн

Alias:
KGM21BCG1H561KT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Недоступний
Резистор: thick film; 110кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В
Резистор: thick film; 110кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В

2,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 10мкФ; 50ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 10мкФ; 50ВDC; ±20%

2,52 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
5,7мм
Діаметр:
6,3мм
Допуск:
±20%
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 2,85÷5,5ВDC; Uвих: 2,5ВDC; 2А; SMD
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 2,85÷5,5ВDC; Uвих: 2,5ВDC; 2А; SMD

280,66 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
2,5В DC
Вихідний струм:
2А
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 100А; Полюси: 2
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 100А; Полюси: 2

8156,37 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1
Кількість полюсів:
2
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Варистор: багатошарові; SMD; 0402; 19ВDC; 0,06Дж; 4А; 27В
Варистор: багатошарові; SMD; 0402; 19ВDC; 0,06Дж; 4А; 27В

1,87 грн

Енергія 2 мс:
0,06Дж
Корпус - дюйм:
0402
Монтаж:
SMD
Напруга варистора:
27В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; 70Вт; DPAK; ESD

119,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 0,9А; 2Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 0,9А; 2Вт; TSOP6

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8

98,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; 107Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; 107Вт; DPAK

70,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
48нКл