Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 3,8А; Idm: 25А

Немає в наявності
Код товару: PMN25ENEH
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: PMN25ENEH
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 18нКл
Корпус: SC74; SOT457; TSOP6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 38мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: 3,8А
Струм стоку в імпульсі: 25А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 7кБ; 32МГц; I2C,SPI,UART; 1,8÷3,6ВDC; THT
IC: мікроконтролер PIC; 7кБ; 32МГц; I2C,SPI,UART; 1,8÷3,6ВDC; THT

78,56 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
CLC x3; COG; CWG; PPS; PWM; XLP; ZCD
Генератор вбудований:
16МГц
Недоступний
Корпус для з’єднувачів: HDC; IP66; PG21; -40÷125°C
Корпус для з’єднувачів: HDC; IP66; PG21; -40÷125°C

0,00 грн

Клас герметичності:
IP66
Різьба сальника:
PG21
Робоча температура:
-40...125°C
Тип корпусу для з’єднувачів:
HDC
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 62; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 62; THT; 3A; 250V

1227,19 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Кабель: до датчиків; вилка; IP67; Iном: 4А; Модель: неекранований
Кабель: до датчиків; вилка; IP67; Iном: 4А; Модель: неекранований

1781,55 грн

Довжина проводу:
1,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
IC: driver; darlington,транзисторна матриця; DIP16; 0,5А; 50В
IC: driver; darlington,транзисторна матриця; DIP16; 0,5А; 50В

24,71 грн

Вид об'єднаної схеми:
darlington; транзисторна матриця
Використання:
6-15V PMOS/CMOS; для індукційного навантаження
Вихідна напруга:
50В
Вихідний струм:
0,5А
Недоступний
IC: аналоговий перемикач; демультиплексор,мультіплексор; SP8T-Z
IC: аналоговий перемикач; демультиплексор,мультіплексор; SP8T-Z

27,24 грн

Вид об'єднаної схеми:
демультиплексор; мультіплексор
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
8
Конфігурація виходу:
SP8T-Z
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
52,6нКл
Корпус:
U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
30нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 82А; Idm: 326А; 130Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 82А; Idm: 326А; 130Вт

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
55нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S

68,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN2020-8S