Name: Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 4,4А; Idm: 25А; ESD
Brand: NEXPERIA
SKU: PMV15ENEAR
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 4,4А; Idm: 25А; ESD

Немає в наявності

Код товару: PMV15ENEAR

0,00 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

PMV15ENEAR

Виробник:

NEXPERIA

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

14нКл

Корпус:

SOT23; TO236AB

Модель:

ESD

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

30В

Опір в стані провідності:

34мОм

Поляризація:

польовий

Струм стока:

4,4А

Струм стоку в імпульсі:

25А

Технологія:

Trench

Тип транзистора:

N-MOSFET

Недоступний

Бажані

Струмові кліщі; Øпров: 52мм; вилки "банан" 4мм

25901,58 грн

Вимір:
опору заземлення

Діаметр вимірюваного проводу макс.:
52мм

Клас герметичності:
IP40

Підключення:
вилки "банан" 4мм

Бажані

Резистор: thick film; 470Ом; 0402; 100мВт; ±5%; ERJ2GEJ; 200ppm/°C

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200

Допуск:
±5%

Корпус - дюйм:
0402

Корпус - мм:
1005

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK

171,06 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
D2PAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7А; 4,17Вт; SOT223

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка

Заряд затвора:
9,3нКл

Корпус:
SOT223

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
13нКл

Корпус:
TO252

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40,6А; PowerDI3333-8

15,27 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
28,4нКл

Корпус:
PowerDI3333-8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 14А; 74Вт; SMA

336,42 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна

Заряд затвора:
10,1нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А

133,05 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
200нКл

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-12...16В