1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23
Немає в наявності
Код товару: 3400L
43,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: 3400L
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 9,5нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 30В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,4Вт
Струм стока: 5,6А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Реле: електромагнітнe потужності; Uкотушки: 24ВDC; DPST-NO; 16мс
Реле: електромагнітнe потужності; Uкотушки: 24ВDC; DPST-NO; 16мс

1013,69 грн

Виводи:
конектори
Електрична стійкість:
100000 цикли
Зовнішні розміри:
35,8x38,2x49,1мм
Кількість пін:
6
Недоступний
Резистор: thin film; 270кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 270кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 53кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 53кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

34,85 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,25%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 4,99кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; CQ; 150В
Резистор: thick film; 4,99кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; CQ; 150В

0,13 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 74; THT; straight
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 74; THT; straight

92,50 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина:
8,5мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 16,5кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 16,5кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

16,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Thermistor: NTC; 2Ω; Ø: 15mm; -40÷200°C; 3.7W; ±15%; THT; Pitch: 7.5mm
Thermistor: NTC; 2Ω; Ø: 15mm; -40÷200°C; 3.7W; ±15%; THT; Pitch: 7.5mm

5,70 грн

Type of thermistor:
NTC
Виводи:
прямі
Вид упаковки:
сумка
Використання:
inrush current limiting
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK

203,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
5,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD

88,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD