Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 2,5А; Idm: 16А; 1,65Вт

Немає в наявності
Код товару: PMPB55ENEAX
27,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PMPB55ENEAX
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 12нКл
Корпус: DFN2020MD-6; SOT1220
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 106мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,65Вт
Струм стока: 2,5А
Струм стоку в імпульсі: 16А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,4пФ; 25В; X8G; ±0,5пФ; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,4пФ; 25В; X8G; ±0,5пФ; SMD; 01005

0,48 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
7,4пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 5,11кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм
Резистор: thin film; 5,11кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм

40,55 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Резистор: thick film; 665Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPC6B
Резистор: thick film; 665Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPC6B

1,93 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 500Вт
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 500Вт

4581,23 грн

Вид блоку живлення:
для вбудовування; модульний
Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
42А
Діапазон вихідної напруги:
10,8...14В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 9,1Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 9,1Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

1,20 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
9,1Ом
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0603

1,25 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 2; OUT: totem pole; Uізол: 3,75кВ; SOIC8; Urmax: 5В
Оптрон; SMD; Ch: 2; OUT: totem pole; Uізол: 3,75кВ; SOIC8; Urmax: 5В

0,00 грн

Вид виходу:
totem pole
Зворотна напруга макс.:
5В
Кількість каналів:
2
Корпус:
SOIC8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,17А; 402мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,17А; 402мВт; SOT23,TO236AB

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,49нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 5,6А; 2Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 5,6А; 2Вт; SOT223

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 53Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 53Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм

79,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 77Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 77Вт; VSONP8; 5x6мм

122,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 14,4А; 20,2Вт; WSON6; 2x2мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 14,4А; 20,2Вт; WSON6; 2x2мм

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
WSON6
Транзистор: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET

216,04 грн

Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,5А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,5А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD