Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 90А; 85Вт; TO263

Немає в наявності
Код товару: G130N06M
43,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G130N06M
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 36,6нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 85Вт
Струм стока: 90А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 1,8МГц; Ch: 4; 1,8÷6ВDC; SO14; 1,5мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 1,8МГц; Ch: 4; 1,8÷6ВDC; SO14; 1,5мВ

126,71 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Властивості інтегральних мікросхем:
low power; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
1,5мВ
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1210

34,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 200В; 1А; 3,3Вт
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 200В; 1А; 3,3Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 40А; 75Вт; DFN8; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 40А; 75Вт; DFN8; автомобільна галузь

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
100В
Поляризація:
польовий
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 17А; 100Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 17А; 100Вт; TO263

306,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 12А; 23Вт; DFN6; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 12А; 23Вт; DFN6; автомобільна галузь

30,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,5нКл
Корпус:
DFN6
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 40А; 62Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 40А; 62Вт; DFN8

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,1нКл
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 284А; Idm: 1,8кА; 291Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 284А; Idm: 1,8кА; 291Вт

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
109нКл