Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 40,7А

Немає в наявності
Код товару: SIR5112DP-T1-RE3
46,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIR5112DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 10,6нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 14,9мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: 40,7А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 680мкФ; 400ВDC; Ø35x50мм
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 680мкФ; 400ВDC; Ø35x50мм

648,76 грн

Висота:
50мм
Діаметр:
35мм
Допуск:
±20%
Ємність:
680мкФ
Транзистор: PNP; біполярний; 60В; 0,8А; 0,35Вт; SOT23,TO236AB
Транзистор: PNP; біполярний; 60В; 0,8А; 0,35Вт; SOT23,TO236AB

24,71 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23; TO236AB
Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
60В
Недоступний
Діод: TVS; 30В; двоспрямована; DO201AE; 1,5кВт; 1.5KE; Ammo Pack
Діод: TVS; 30В; двоспрямована; DO201AE; 1,5кВт; 1.5KE; Ammo Pack

9,76 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Корпус:
DO201AE
Монтаж:
THT
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 13,3÷14,7В; 20,1А; двоспрямована; SMA
Діод: TVS; 400Вт; 13,3÷14,7В; 20,1А; двоспрямована; SMA

73,49 грн

Зворотна напруга макс.:
12В
Корпус:
SMA
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
13,3...14,7В
Недоступний
Резистор: thick film; 110кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 110кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 68Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 68Вт; D2PAK

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD

95,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,6А; Idm: 16А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,6А; Idm: 16А; 125Вт

200,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
78нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,7А; 0,76Вт; SOT23; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,7А; 0,76Вт; SOT23; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 0,6Вт; SOT23; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 0,6Вт; SOT23; ESD

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,2А; Idm: 4,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,2А; Idm: 4,8А; 1,25Вт; SOT23

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
0,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; SOT223

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD