Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 5,5А; Idm: 20А

Немає в наявності
Код товару: SI7322DN-T1-GE3
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7322DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 20нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 58мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 33Вт
Струм стока: 5,5А
Струм стоку в імпульсі: 20А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 1кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 1кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206

5,70 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,61 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 32Вт
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 32Вт

771,67 грн

Вид блоку живлення:
для вбудовування; модульний
Вид корпусу:
0932A
Вихідна напруга:
5В DC
Вихідна напруга 2:
12В DC
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 5м; вилка; 60ВDC; 60ВAC; 4А; Жили: 2
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 5м; вилка; 60ВDC; 60ВAC; 4А; Жили: 2

3028,39 грн

Довжина кабелю:
5м
Застосування проводів:
промислові мережі PROFIBUS
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,62 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1нФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0603

0,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 6,4В; DO35; 2мкА; ролик,cтрічка
Діод: зенера; 500мВт; 6,4В; DO35; 2мкА; ролик,cтрічка

341,49 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
6,4В
Корпус:
DO35
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK

171,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7А; 4,17Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7А; 4,17Вт; SOT223

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
9,3нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40,6А; PowerDI3333-8
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40,6А; PowerDI3333-8

15,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
28,4нКл
Корпус:
PowerDI3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 14А; 74Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 14А; 74Вт; SMA

336,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
10,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А

133,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
200нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-12...16В