Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 90А; Idm: 240А

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SUM90N10-8M2P-E3
252,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SUM90N10-8M2P-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 150нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 17мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 90А
Струм стоку в імпульсі: 240А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Діод: випрямний Шотткі; THT; 60В; 30А; Ufmax: 670мВ; Ir: 600мкА
Діод: випрямний Шотткі; THT; 60В; 30А; Ufmax: 670мВ; Ir: 600мкА

32,31 грн

Зворотна напруга макс.:
60В
Монтаж:
THT
Пряма напруга макс.:
0,67В
Структура напівпровідника:
спільний катод
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD

2,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; THT; 3A; 250V

157,75 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
4,6мм
Недоступний
Резистор: thick film; 383Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 383Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 100Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 8,4А
Перетворювач: DC/DC; 100Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 8,4А

10493,55 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
8,4А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Реле: інтерфейснe; SPST-NO; Uупр: 10÷48ВDC; 2А; транзисторний
Реле: інтерфейснe; SPST-NO; Uупр: 10÷48ВDC; 2А; транзисторний

2001,40 грн

Виводи:
самозажимна клемма
Вид виходу:
транзисторний
Зовнішні розміри:
78x70x6,2мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

0,76 грн

Alias:
KGM21BCG1H390JT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD